第5章 半导体存储电路

第5章 半导体存储电路

一、概述

组合逻辑电路:无记忆
时序逻辑电路:有记忆—存储电路

1.触发器

1.1 概念

能够存储1位二值信号的基本单元电路
是时序逻辑电路的基本单元

1.2.电路构成

由门电路和反馈线构成

1.3.特点

有两个稳定的状态:1状态和0状态
在触发信号的作用下,根据不同的输入信号可以置成1或0状态

2.触发器的现态和次态

现态:Q 原状态
次态:Q* 新状态

3.触发器逻辑功能描述方法

特性表(功能表):含有状态变量的真值表,特性方程,状态图,波形图

二、SR(Set-Reset Latch)锁存器

1.电路结构

第5章 半导体存储电路
S D ′ S_D' SD′​:置位端,置1输入端
R D ′ R_D' RD′​:复位端,置0输入端
Q=1 Q’=0,1状态,置位状态
Q=0 Q’=1,0状态,复位状态

2.工作原理

与非门组成的基本SR触发器的特性表

S D ′ S_D' SD′​ R D ′ R_D' RD′​ Q Q* 功能
1 1 0
1
Q 保持
0 1 0
1
1 置1
1 0 0
1
0 置0
0 0 0
1
1* 不定

例 对于如图所示的门控SR锁存器,若输入E、S、R的波形如图所示,画出输出端Q对应的波形。设锁存器的初始状态为Q=1。

第5章 半导体存储电路
电路的初始状态:Q=1。

当E=0时

S’=R’=1 ,锁存器状态不变

当E=1时

R和S端的信号可以送入基本SR锁存器,电路状态可能会发生变化
第5章 半导体存储电路

三、触发器

1.电平触发的触发器

状态改变发生在高电平期间

2.脉冲触发的触发器

状态改变发生在上升沿

3.边沿触发的触发器

状态改变发生在下降沿

4.按逻辑结构划分

4.1 SR触发器

Q*=S+R’Q
SR=0

4.2 D触发器

Q*=D

例 上升沿触发和下降沿触发的D触发器逻辑符号及时钟信号CP和D的波形如图所示。分别画出Q_1和Q_2端波形。设触发器的初始状态为0

第5章 半导体存储电路
第一个对下降沿敏感,第二个对上升沿敏感
第5章 半导体存储电路

例 如图所示电路中,触发器的初态均为0,画出在时钟脉冲CP作用下,电路输出端Q_0,Q_1的电压波形,说明Q_0,Q_1信号频率与CP信号频率之间的关系

第5章 半导体存储电路
触发器Q_0直接受时钟CP上升沿的控制
第5章 半导体存储电路

4.3 JK触发器

Q*=JQ’+K’Q

例 设上升沿触发JK触发器的初始状态为0, CP和J,K信号如图所示,试画出其Q端的波形

在时钟上升沿到来时
当J≠K时,输人端J=1将触发器置位为1,输人端K=1将触发器复位为0
当J=K=1时,输出状态发生翻转
当J=K=0时,JK触发器状态保持不变
第5章 半导体存储电路

例 由边沿JK触发器组成的两相脉冲源电路如图所示,画出图中 Q 0 , Q 0 ′ , Q 1 , Q 1 ′ , y 1 , y 2 Q_0,Q_0',Q_1,Q_1',y_1,y_2 Q0​,Q0′​,Q1​,Q1′​,y1​,y2​的电压波形,并说明y1和y2的时间关系

第5章 半导体存储电路
y 1 = Q 1 y_{1}=Q_{1} y1​=Q1​
y 2 = Q 0 Q 1 + Q ˉ 0 Q ˉ 1 = Q 0 ⊙ Q 1 y_{2}=Q_{0} Q_{1}+\bar{Q}_{0} \bar{Q}_{1}=Q_{0} \odot Q_{1} y2​=Q0​Q1​+Qˉ​0​Qˉ​1​=Q0​⊙Q1​
第5章 半导体存储电路
y_1超前y_2一个CP周期

4.4 T触发器

Q*=TQ’+T’Q

上一篇:27.Kubernetes的包管理利器:Helm基础


下一篇:深度学习1:Regression-CaseStudy(预测宝可梦进化后CP值)