MDS50HB160-ASEMI三相整流模块MDS50HB160

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MDS50HB160MDS-HB封装里采用的4个芯片,是一款三相整流模块MDS50HB160的浪涌电流Ifsm750A,漏电流(Ir)5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MDS50HB160采用GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。MDS50HB160的电性参数是:正向电流(Io)50A,反向耐压为1600V,正向电压(VF)1.1V,其中有5条引线。

 

MDS50HB160参数描述

型号:MDS50HB160

封装:MDS-HB

特性:三相整流模块

电性参数:50A1600V

芯片材质:GPP

正向电流(Io)50A

芯片个数:4

正向电压(VF)1.1V

浪涌电流Ifsm750A

漏电流(Ir)5uA

工作温度:-55~+150

引线数量:5

 MDS50HB160-ASEMI三相整流模块MDS50HB160

MDS50HB160三相模块封装系列。它的本体度为82mm度为30mm,高度为18mm加引脚高度为31.5mm,脚间距为12mmMDS50HB160的特征是玻璃钝化芯片,低反向漏电流,高耐浪涌电流能力750安培,符合ROHS要求,接线端与壳体间绝缘耐压2500VMDS50HB160适用于家用电器、工业电源、工业自动化设备、电焊机。

 

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MDS50HB160-ASEMI三相整流模块MDS50HB160

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