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一、只读存储器概述
只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。
ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。ROM所存数据稳定 ，断电后所存数据也不会改变，并且结构较简单，使用方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
只读存储器的发展历程
二、只读存储器的类型
1、掩模 ROM ( MROM )——只可读
这种ROM是由制造厂家利用一种掩膜技术写入程序的，掩膜ROM制成后，用户不能修改，根据制造工艺可以将它们分为MOS型和双极型两种。MOS型ROM功耗小、速度慢，适用于一般微机系统；而双极型则速度快、功耗大，适用于速度较高的计算机系统。
MOS型ROM， 行列选择线交叉处有 MOS 管为“ 1 ” ，行列选择线交叉处无 MOS 管为“ 0 ”上图是掩膜型ROM构成的原理图,图中是个简单的4x4位MOS（或双极型）管ROM，采用单译码结构，A0、A1译码后可译出四种状态，输出4条选择线，可分别选中4个单元，每个单元有4位输出。图中所示的矩阵中，在行和列的交点，有的连有MOS管，有的没有，这是工厂根据用户提供的数据对芯片图形（掩膜）进行二次光刻所决定的，所以称为掩膜ROM。
2、PROM (一次性编程)
可编程只读存储器 （英语：Programmable read-only memory），缩写为 PROM 或 FPROM，是一种电脑存储记忆晶片，它允许使用称为PROM编程器的硬件将数据写入设备中。在PROM被编程后，它就只能专用那些数据，并且不能被再编程，这种记忆体用作永久存放程式之用。通常会用于电子游戏机、或电子词典这类可翻译语言的产品之上。
采用破坏性编程，且只能编程一次，如果编程有错误，只能重新购买芯片。
3、EPROM (多次性编程 )
EPROM采用N型沟道浮动栅MOS电路，需要保存0，D端加正电压，形成浮动栅，需要保存1，D端不加正电压，不形成浮动栅。
编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
4、EEPROM (多次性编程 )
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。
常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据。
也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。
EEPROM的特点- 电可擦写
- 局部擦写
- 全部擦写
5、Flash Memory (闪速型存储器)
快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。
闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。
几种只读存储器的简单对比：
- EPROM 价格便宜 集成度高——多次编程，紫外线擦除
- EEPROM 电可擦洗重写——局部擦除和全部擦除
- Flash Memory 比 EEPROM快 具备 RAM 功能