记录一下DRAM的各项基本参数

• tCL CAS Latency CAS 潜伏期， 列地址寻找/读写命令执行完毕，准备要读出来，需要一个延时缓一缓

• tRAS: RAS Active Timeing 行有效到预充电的最短周期

• tRP ROW Precharge timing 预充电有效周期

• tRCD 行寻址到列寻址之间的时间间隔周期

• tWR 写恢复时间

• tRFC 行刷新时间

• tWRTR 写到读的延时时间

• tRRD 行访问到行访问的时间

• tRTP 读到预充电的时间

• tFAW DRAM Four Active window 定义了同一bank 中允许同时发送行激活命令的时间间隔，最小值不应小于tRRD 的四倍，DDR3的 tRRD的最小值是4T， 因此tFAW 的最小值是16T