1、系统概述

IGBT、MOS等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确测量各种静态参数具有极其重要的实际意义。

EN-3020B 分立器件测试仪，是针对IGBT、MOS等器件的各种静态参数而专门设计的一套全自动测试系统。系统标准功率源为2000V/100A。

该测试系统具有如下特点：

该测试系统是一套综合参数测试系统，对设备自身的抗干扰能力要求较高，因此难度比较大；

该测试系统完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试；

该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为 EXCEL 文件进行处理。

该测试系统主要由以下部分组成：

• 栅极-发射极漏电流测试单元
• 栅极-发射极阈值电压测试单元
• 集电极-发射极电压测试单元
• 集电极-发射极饱和电压测试单元
• 二极管压降测试单元
• 二极管反向击穿电压测试单元

2、技术条件

2.1、环境要求

• 环境温度湿度：室温～40℃，小于70%；
• 大气压力：86Kpa～ 106Kpa
• 电网电压：AC220V±10%无严重谐波
• 电网频率：50Hz±1Hz

2.2、主要技术指标

2.2.1、栅极-发射极电压VGES及漏电流IGES

电压VGES：0-40V  误差±2%  分辨率0.1V

电流IGES：0.1-10µA  误差±2%  分辨率0.01µA

集电极电压：VCE=0V

2.2.2、集电极-发射极电压VCES及电流ICES

集电极电压VCES：100-2000V  误差±2%  分辨率1V

集电极电流ICES：100µA-5mA  误差±2%  分辨率10µA

栅极电压VGE=0V

2.2.3、栅极-发射极阀值电压VGE(th)

VGE(th)：1-10V  误差±2%  分辨率0.1V

显示栅极-发射极阈值电压VGE(th)

2.2.4、集电极发射极饱和电压VCE(sat)

VCE（sat）：0.2-5V  误差±2%  分辨率10mV

集电极电流ICE：10-100A  误差±2%  分辨率1A

2.2.5、二极管压降测试VF

VF：0-5V  误差±3%  分辨率10mV

栅极电压VGE：0V

电流IF：10-100A  误差±2%  分辨率1A

2.2.6、二极管反向击穿电压BVR

电压设定：100V-2000V  误差±2%  分辨率1V

击穿电流设定：0.1-10mA  误差±2%  分辨率10uA

如果感兴趣的话联系李经理  152 4920 2572