Exploiting DRAM Restore Time Variations in Deep Sub-micron Scaling

  • restore time - the time required to fully charge the storage capacitor
  • 划分内存组为块,并将每个块的时间参数的不同暴露给内存控制器,通过重新组织物理块为逻辑块,可以创造出更多的快速块并减少缓慢块的数量
  • tWR-write recovery time
  • 芯片成品率和tWR
    • tWR和DRAM芯片的性能相关,而生产出的每一块DRAM的tWR不可能是相同的,为了统一,就有了tWR标准,tWR高于标准的认为是劣品,反之为良品
  • Chip-specific tWR Control - 在生产后立即测算芯片的tWR,用相同或相似tWR的芯片组成DIMM
  • Chunk-specific tWR Control - 划分内存组为多个内存块,将块级tWR设置为这个块中芯片的最长tWR
  • Constructing Fast Chunks through Chunk Remapping
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