25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

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25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

型号:25N120

品牌:ASEMI

封装:TO-220

电性参数25A 1200V

正向电流:25A

反向耐压:1200V

恢复时间:

引脚数量:3

芯片个数:1

芯片尺寸:

封装尺寸:如图

特性:场效应管

浪涌电流:

工作温度:-55℃~+150℃

场效应管原理:

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

 

25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

 

25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

 ASEMI全系列封装图

25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

 

ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件,主要生产销售整流桥系列封装(DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU);整流模块(MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF);汽车整流子(25A~50A STD&TVS Button、Cell、MUR);肖特基二极管TO-220(MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封);肖特基TO-3P/247,整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管);玻璃钝化(GPP)六英寸晶圆等,各种封装参数在ASEMI官网都有详细介绍。

 

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