ME2345A / ME2345A-G，P沟道30V（D-S）MOSFET

ME2345A简述：

ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。

ME2345A特征：

●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V

●RDS（ON）≦80mΩ@VGS=-4.5V

●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-2.5V

●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

●出色的导通电阻和最大直流电流能力

ME2345A应用领域：

●笔记本中的电源管理

●便携式设备

●电池供电系统

●负荷开关

●DSC引脚配置

AO3401A一般说明：

AO3401A使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。 该设备适合用作负载开关或其他一般应用。

AO3401A产品概要：

  VDS         -30V

  ID（在VGS = -10V时）-4.0A

  RDS（ON）（在VGS = -10V时）<50mΩ

  RDS（ON）（在VGS = -4.5V时）<60mΩ

  RDS（ON）（在VGS = -2.5V时）<85mΩ

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