展望2017存储“芯”发展 DRAM与NAND将持续涨价

 
 在即将过去的2016年,半导体行业风起云涌,经历多次并购案的半导体行业依旧活力十足,无论是谁都信心满满的期待着来年。高通并购恩智浦、软银收购ARM等事件都足够让人瞠目,除了半导体代工和架构设计之外,DRAM市场和NAND市场的剧情同样跌宕起伏。在6月份,三星由于位于西安的工厂外变电站爆炸事故,造成设备受损,全球的3D NAND芯片出现了供货紧张的问题。

展望2017存储“芯”发展 DRAM与NAND将持续涨价

市场需求剧增,产能不足

而在笔者了解到的信息中,全球最大的固态硬盘制造商建兴在今年9月份就开始出现供不应求的状况,而且一直持续到年底。2016年的NAND Flash市场除了缺货之外还是缺货,这让很多人对NAND产能产生了极大的疑问,难道就没有产商考虑增加产能吗?其实在今年年初,三星确实有考虑要加大NAND Flash的产能,不过在当时,手机市场处于饱和状态,而消费级PC市场需求也并不大,三星再三权衡之后选择了停止扩建计划。在下半年手机市场的出货趋于稳定的状态下,固态硬盘需求增加,加之三星西安工厂外变压器爆炸影响,内存和固态硬盘零售价出现了大幅度上扬的情况。其中内存涨幅将近50%,固态硬盘同样涨价不少。

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SK海力士

NAND Flash的需求不断扩大,美光公司执行长德肯先生对此信心满满,他对2017年的DRAM、NAND市场非常看好。除了市场需求增大之外,美光的另外一个好消息就是他们的3D NAND闪存在今年底开始大量投产了。美光第一代3D NAND在成本符合美光的预期;而第二代也达到了64层堆栈,在近期大规模生产,美光能否夺回失去的市场就让我们拭目以待吧。在十一月份,三星向其客户展示了10nm DRAM芯片,在本月中,SK海力士有了回应,SK海力士表示计划在明年开始量产10nm制程的DRAM芯片,业界内有消息称SK海力士的10nm晶圆已经完成制样,正在进行可靠性认证。

虽然在下半年,各大厂商不断的加强新技术研发以及将产能开足,不过依旧难以缓解NAND芯片和DRAM芯片的供需,2017年还将会持续处于紧张的状态。存储器行业研究公司集邦科技的研究报告显示,2017年的NAND Flash产能将会增加6%,不过价格会处于稳步上扬的状态。价格上扬的主要原因来自于工艺技术的更新,2D-NAND芯片会在2017年降低占比,随后慢慢退出市场;而64层的3D-NAND要进入到市场还需要等到2017年第三季度,在此之前,NAND闪存颗粒的还是处于供不应求状态。

未来产业的方向

在10月份,知名HDD厂商西部数据用190亿美元收购了固态硬盘制造商闪迪,意在开拓固态硬盘市场中占得先机。而希捷也不甘落后,同样来自于业内人士爆料,希捷与SK海力士将会共同成立一家合资公司,目的同样是为了抢滩快速增长的固态硬盘市场,其中希捷占股49%,剩余的51% 则是由SK海力士掌握。海力士在芯片上的研发实力强劲,不过在消费市场上的占有率却一直非常低,而希捷则处于转型的阵痛,HDD硬盘市场持续萎缩,希捷急于寻求突破,双方合作本身就是优势互补,增强竞争力。

展望2017存储“芯”发展 DRAM与NAND将持续涨价
武汉新芯

前面提到三星裁撤建厂计划的另外一个重要原因:就是国内半导体产业的来势汹汹。在今年6月份,紫光集团收购武汉新芯并成立长江存储之后,国内的DRAM、NAND芯片正在用极快的速度追赶世界先进水平,紫光集团就是国内最好的代言人。

国内如此看重半导体行业的最重要原因在于智能硬件发展速度极快,国内每年的半导体芯片进口金额已经远超原油,因此国家对与半导体企业的扶持力度极大。国际半导体行业协会在本月中旬发布的预测报告显示,截止至2020年,全球将会有62座晶圆厂陆续投入生产,其中国内就有26座,而美国和*则分别是10座和9座。

笔者感言:在经历了2016年的起起伏伏之后,DRAM颗粒在2017年将会继续向10~20nm制程转进,晶圆的生产与需求将会继续处于平衡状态,而且目前的DRAM市场盈利能力比较有限,这也导致了美光、三星、SK海力士没有过多与国内厂商合作的欲望,毕竟如果再加入新的制造厂商,供过于求将会是DRAM市场进入到亏损时期。NAND芯片方面,今年下半年的缺货已经成为常态,无论是SSD亦或者eMMC/eMCP都需要面对,所以在2017年第一季度,SSD和eMMC将会继续涨价,涨幅在10%左右;目前3D-NAND芯片面临的最大问题是SK海力士和美光的良品率并不好,而2D-NAND向3D-NAND转换势必会造成2D-NAND缺货,3D-NAND供货又未能及时填补空缺造成的。

 作者:佚名
 
来源:51CTO
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