最近一直在看大家在讨论sandisk，pny，金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题，让大家基本都不敢用U盘存数据了
按照之前的擦写参数
TLC 1000次
MLC 10000次
SLC 4万-10万次（这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样）
注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写，只读取里面文件的不算
假设你一天需要3次擦写那么
全新的TLC可以用到2014年
全新的mlc可以用到2041年
全新的slc可以给你的孙子的孙子了
大家现在有几个手里还有32M以下U盘的
注明是一直在使用的不是收藏的或者垃圾堆的。。。。。
其实就是想说大的加工厂已经在用tlc了说明这个技术已经没啥问题了，大家玩U盘不要总被这个参数困扰，当然追求读写的还是去买slc吧。tlc读写和mlc感觉区别不是很大
现在的U盘很少见到SLC了，用MLC就已经是厂商对得起良心了。用chipgenius 可以检测。
上图为 MLC
上图为 TLC
而在NAND闪存方面，受到成本、速率和容量的综合因素考虑，目前市场上主要包括三大类NAND Flash闪存，分别为SLC、MLC和TLC，它们的价格呈阶梯形式，TLC价格甚至直逼0.5美元/GB。
SLC（Single-Level Cell）NAND采用了单层设计，单个Cell同一时间只能存储1个bit的数据，由于设计结构的简单，具有存储速率快、寿命长的特点，平均寿命大约为10万次，不过产品的容量和成本较高，主要应用在性能级的企业SSD上，另外在一些高端优盘上也可以见到它。
采用SLC NAND的ORICO UE3优盘读写达160MB/s
MLC（Multi-Level Cell）NAND则为双层设计，单个Cell同一时间只能存储2个bit的数据，成本、速率和容量得到了非常好的平衡，目前单颗容量已经高达128Gb（16GB），不过产品的使用寿命大约只有10000次。
大容量PCI-E SSD也会采用采用MLC NAND闪存
TLC（Trinary-Level Cell）则基本是从成本考虑的，采用了三层设计，单个Cell同一时间只能存储3个bit的数据，寿命非常有限，大约只能擦除500次。
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
现在市场上面有许多TLC的芯片，TLC做的U盘你敢用吗？我不敢！
论坛里有坛友发了QLC的U盘，虽然是个扩容盘，山寨的货。但是也让我们见识到了TLC不是在最底层了，他下面还有个寿命更短的家伙。
SLC被我们一些人称为神话了，在品牌U盘当中，采用SLC的U盘意见屈指可数了，如前段时间部分坛友购买的金田 USB3.0的U盘就是双贴SLC制成的，速度也还不错。当然还有其他的，这个大家去发现吧。
有坛友说，很多高速USB3.0给媒体送测的U盘是SLC的，但是市面销售的却为MLC，这很明显是欺骗消费者的。具体回复坛子里有，可是忘哪了。
SLC的优越性能还有寿命这个坛子里都知道，就是 贵。。。所以他被在成本的压力下，变得非常稀少。
MLC已经开始少了，KST，威刚，闪迪等等厂商都已经采用TLC在主流U盘上了。这让大家对这些品牌感到了惋惜。我想这也还是迫于成本的限制吧。
MLC在SLC面前虽然逊色不少，但是他现在在我们心目中的形象突然高了起来，在这个唾弃TLC追捧MLC的时代，MLC变得非常的火热，买个品牌的U盘，首先都要看看是不是MLC，如果是TLC的，我想肯定会觉得运气不好，有点想骂厂商了吧。
MLC的性能中规中矩，但是价格也适中，制作成U盘速度也不错，像博帝的四通道 USB2.0速度可是逼近SLC的，在USB3.0下，也有不俗的表现，这也是我们一直力挺MLC的原因。
TLC，大家都在唾弃他，但是他还是迎面而上啊，逐渐成为各U盘厂商的宠儿啊，价格低廉，成本也控制的更加低了，所以现在U盘很便宜也是合理的，不过按照现在的价格，MLC和TLC的价格却差得不很大，但是性能却差得好远好远。这个我们不选择TLC也是有道理的。但是由于TLC的加入，U盘的价格不才多姿多彩吗？
QLC，这个我也是几天才发型的新东西，如同我在那帖子的回复一样，我认为他作为一个代替光盘的产品还是不错的，虽然他的是、擦写寿命有限，但是想想光盘的寿命，他已经很客观了，但是价格几多，这个就不清楚了。
作为芯片级的产品，他容量可以做得比较大，不会像光盘一样受到比较大的限制，而且他也不会像光盘一样怕被刮花了。把电影弄进QLC制成的产品，再加入相应的防复杂措施，这也是不错的代替品不是吗？
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
什么是SLC？
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。
其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到６MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。