BTS3410G 场效应晶体管

BTS3410G是集智能SIPMOS技术制造而成的N沟道垂直功率场效应晶体管FET,低压侧、2路输出、输入电压10V、电流极限7.5A、封装类型SOIC-8,来自国际品牌英飞凌(Infineon)。接下来重点详述BTS3410G场效应晶体管FET的特性、参数、应用,带您走进BTS3410G的“世界”!

BTS3410G 场效应晶体管

BTS3410G场效应管特性

逻辑电平输入
自动重启热开关
符合ROHS标准
过载、短路、过电压、ESD保护
电流限制
模拟驱动

BTS3410G场效应管参数

Drain source voltage漏源电压:42V
on-state resistance导通状态电阻:200mΩ 
Nominal load current额定负载电流:1.3A
Clamping energy钳位能量:150mJ
Automobile quality standard汽车质量标准:AEC-Q100
Power dissipation功耗:0.8W

BTS3410G 场效应晶体管

BTS3410G场效应管应用

适用于开关或线性应用中的各种阻性、感性和容性负载;
μC兼容电源开关,适用于12V DC应用;
取代机电继电器和分立电路

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BTS3410G 场效应晶体管

BTS3410G 场效应晶体管

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