ME50N06A一般说明ME50N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。

ME50N06A特征

● RDS(ON)≦22mΩ@VGS=10V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和最大直流电流能力

ME50N06A应用

● 电源管理● DC/DC 转换器● LCD TV & Monitor Display 逆变器● CCFL逆变器● 二次同步整流N 沟道 MOS管松木ME50N06A-G（代替）新洁能NCE6030K/NCE6020AK方案

NCE6030K 描述

NCE6030K 采用先进的沟槽技术和设计以提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 它可用于多种应用。

NCE6030K 一般特征

● VDS =60V,ID =30ARDS(ON) <27mΩ @ VGS=10V

● 超低Rdson的高密度单元设计

● 充分表征雪崩电压和电流

● 良好的稳定性和均匀性，高EAS

● 优秀的封装，良好的散热

● 高ESD能力的特殊工艺技术

NCE6030K 应用

● 电源开关应用

● 硬开关和高频电路

● 不间断电源

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