上面是块什么卡，我想不少人都已经知道，特别是关注《企业存储技术》微信公众号的读者朋友们。如果还不了解也没关系，下面列出之前我写过Optane（傲腾）SSD和3D XPoint Memory相关的东西，都看过至少能了解个大致的全貌了。
《Optane P4800X内存模式背后技术：Intel Memory Drive》
《Optane P4800X比闪存写快3倍，杀手应用在哪里？》
由于受撰文时间、手头资料和水平所限，从今天来看以上文章中难免有不足之处。但正如我在第一篇（时间最早，排在最下面）标题中所写的那样，从技术到应用都讲过不少。
现在，不仅Intel Optane SSD DC P4800X 375GB PCIe扩展卡正式发布，最新版本的VMware VSAN 6.6已经官方宣布支持。在不久之前，我就曾想过能否有机会第一时间测试Optane P4800X，当这个愿望变成现实的时候，还是有点小兴奋的：）
由于拍摄角度光线的原因，上面照片中的P4800X型号信息可能不是特别清晰。其中包含容量点、产地（这块卡还是在美国）还有NVMe的logo等。
Optane SSD控制器和3D XPoint颗粒
迫不及待拆下散热器，可以看到主控芯片的型号是Intel EAT39099，PCIe 3.0 x4接口、正面14颗3D XPoint Memory芯片这些我们之前都已经了解。
在Intel Optane P4800X背面对称的位置也有14颗存储芯片，它们的编号为Intel 29P16BIBLDNF2。我觉得暂时还不用太关注该芯片的型号和参数，因为市场中几乎还没有同类产品，这里不能叫闪存了，因为3D XPoint属于SCM（存储级内存）。等到傲腾面向数据中心的更多容量点发布，或者未来Micron使用同类芯片的QuantX SSD推出之后可能才有对比芯片的意义。
与使用NAND闪存的SSD相比，Optane上面明显少了一些元件，这个我们找块卡对比下就很容易看出。
Intel SSD P3700上的电容和DRAM缓存
在性能测试中用来跟Optane P4800X对比，Intel旗舰级的SSD DC P3700显然很合适。上面的照片我特别强调了一下两颗电解电容，它们的作用是掉电保护——异常断电时将SSD 临时buffer（而不是大容量DRAM缓存）中的数据写入闪存。这块P3700的散热器贴合比较紧，再加上也不是新品了，我也就没有执着于拆解，接下来看看背面就行了。
Intel SSD DC P3700的控制器支持18个闪存通道，这块2TB卡正反面共有36颗64GB H.E.T（高耐久度）MLC NAND闪存颗粒。我用红色箭头指出的是2颗DRAM缓存芯片，当然卡的正面也有。
这张放大图可以看到NAND闪存的型号：Intel 29F01T080CMFP。而我还是更关注一旁的Micron D9PQL内存芯片——4Gb（512MB）DDR3-1600规格，背面2颗加上正面3颗，4+1 ECC之后可用容量为2GB，相当于2TB闪存1/1000容量，正好符合元数据映射表的需求。
从Intel资料中我找到一张图来辅助说明下，上面这个是企业级SATA SSD，但Power Loss Imminent（PLI）技术的原理是一样的。左边的电容负责在异常断电时，将SSD控制器中的存储Buffer数据写入NAND闪存。我们知道SSD主控芯片里一般都集成有少量DRAM和SRAM，Intel在这里保护的是临时缓冲，避免其中数据丢失或者闪存页面部分写入的情况发生。
由于这个数据量不大，所以对电容的需求也不高。至于控制器外部的DRAM缓存，里面的闪存映射表数据并不是唯一的，所以如果掉电时需要处理的话，我想应该也只是保护少量正在写入闪存页面的数据。映射表放DRAM更多目的应该是加速元数据读访问，像以前一些Host-based架构设计的PCIe闪存卡是把这个映射表放在系统内存里，FTL在主机端实现。
在两年多以前的《SSD缓存掉电保护：3种方案的利与弊》一文中我曾经做过相关讨论，后来看其中内容不完全准确，但应该还有值得大家参考的东西。
通过对比不难看出，Optane P4800X上没有单独的缓存芯片，也没看到有大容量电容。而据了解它实际上仍然具备Power Loss Imminent（PLI）技术，需要保护的临时buffer数据量很小而已。元数据映射表不再放在单独的DRAM中，因为3D XPoint Memory本身就是一种非易失性内存介质，而且它的速度足够快。
应用测试展望
以前写过的内容就尽量不重复了。在下一篇列出Optane P4800X性能测试结果之前，我先简单回顾下在媒体报道中看到过的应用表现，硬件本身的性能Intel资料中已经写的比较清楚了。
“以上数据为fio(ioengine=libaio)测试采集。使用方式，将傲腾固态盘作为内存及基于NAND的NVMe SSD之间的缓存层，写磁盘是3副本落盘。”
大家还记得腾迅云那篇抢先发布的新闻稿吗？还是上面这段技术描述客观一些并且好理解。
“以上数据为基于350GB容量数据库测试，基准性能测试SYSBENCH 0.5采集，以上数据库测试经过数据库内核缓存、sql解析、sql语句优化等，同时与表结构和事务相关。”
按照常规理解，PCIe SSD的延时性能对于传统关系型数据库来说已经比较短了；如果看IOPS，Optane写提高较多（50万vs. 17.5万，约3倍），而读IOPS与PCIe闪存卡之间的差距没有这么大。
是什么原因导致了Optane在QPS测试中的优势呢？这就是我们在测试中要探索、验证的东西。