死区时间的设置是为了避免上下两桥臂同时导通

以IGBT STGWA19NC60HD为例

数据手册: https://www.mouser.hk/datasheet/2/389/dm00038634-1797405.pdf
手册阅读指南:  https://www.st.com/resource/en/application_note/dm00122161-igbt-datasheet-tutorial-stmicroelectronics.pdf

感性负载时，开关特性的测试电路

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开启和关断的波形图：

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可以看出，下降沿明显比上升沿时间长很多，所以从下降沿这一侧开始考虑

 乍一看，死区时间恰好为，即从VGE刚开始下降(90%)，到电流IC刚开始下降，再到IC下降至10%的时间：td(off) + tfall = 144ns + 128ns = 172ns

但是，还需要考虑上升沿一侧！

想象一下我们上管开始关断，给下管的开启预留一个172ns的死区时间，172ns时间到，上管成功关断，但是下管的开启仍然至少需要td(on) = 24ns的时间来让电流IC成功升起(10%)，这24ns就浪费了。

所以最小死区时间的计算应该把上升时间考虑进去，即

算了半天，然而实际应用中保险起见还是粗略选用400ns左右的delay time （微笑）