AT4AT45DB系列介绍
说到SPI接口的存储芯片,一般不得不说到ATMEL的AT45DB,这个系列的Flash芯片比较全面。
从AT45DB011D(1Mbit)、AT45DB021D(2Mbit)、AT45DB041D(4Mbit)、AT45DB081D(8Mbit)、AT45DB161D(16Mbit)、AT45DB321D(32Mbit)、AT45DB642D(64Mbit)全系列都有,从供货情况来看,041D、161D、321C、641D这几款的供货情况不错,而041D的千片价格可以做到57元,161D的千片价格在8元左右。其中011D041D都是264字节Page的,161D和321D是528字节Page,642D是1056字节Page的。
该系统都具有两个缓冲区,分别命令为BUF1和BUF2,在其它的Flash中很少见的。而且该系列的命令、封装都是通用的,我比较喜欢用SOIC (208mil) 8 和TSOP 28封装的,SOIC封装形式不具备RDY脚,在编程、擦除、比较之后只能通过读取内部的status_register来判断,当然凭借66MHz的SPI速度,也就是几百纳秒的事情啦;不过我只用到了10MHz的速度,感觉也是相当的不错,所以我比较衷情于使用SOIC (208mil) 8 的,一来画PCB板可以偷点懒,二来可以节省点焊接费用和时间(俺最近越来越会精打细算了哈)。
在软件应用上也是很方面的,这个系列的Flash性能很好,一般不会出现坏页,除了读、写功能外,还附带了一个比较功能,别小看这上功能,其实很是实用,把这篇文章继续读下去就知道了。为了更为保险一点,我在附加字节中加入了ECC。在操作上也下了点功夫,分别读和写两个方面,说明如下:
写数据,因为是SPI口操作,所以难免偶尔出现低概率的干扰,但是还是出影响数据,若是关键性的数据,那就完蛋了。所以俺先将要写入的页面数据写入BUF1,然后写入将BUF1写入Flash的命令。在Flash编程的同时,我将同样的数据写入BUF2,等待BUF1编程完毕,将BUF2的数据与Flash页面中的数据进行比较,如出错,则重新写入,若无误,说明SPI线传输正确。
读数据,因为我在附加字节中加入了ECC,所以每入读入系统内部RAM之后,都对ECC进行校验,如出错,说明Flash页面损坏或SPI读过程中出现外部干扰,此时可再读一次,如连续读入三次均出错,说明页面损坏,不过我还没有遇到这样的情况。
在芯片的操作上,我一般都是以页为单位进行操作,因为方便、好控制。
在写数据时,一般都采用页面自擦除方式,非常方便。5DB系列介绍
说到SPI接口的存储芯片,一般不得不说到ATMEL的AT45DB,这个系列的Flash芯片比较全面。
从AT45DB011D(1Mbit)、AT45DB021D(2Mbit)、AT45DB041D(4Mbit)、AT45DB081D(8Mbit)、AT45DB161D(16Mbit)、AT45DB321D(32Mbit)、AT45DB642D(64Mbit)全系列都有,从供货情况来看,041D、161D、321C、641D这几款的供货情况不错,而041D的千片价格可以做到57元,161D的千片价格在8元左右。其中011D041D都是264字节Page的,161D和321D是528字节Page,642D是1056字节Page的。
该系统都具有两个缓冲区,分别命令为BUF1和BUF2,在其它的Flash中很少见的。而且该系列的命令、封装都是通用的,我比较喜欢用SOIC (208mil) 8 和TSOP 28封装的,SOIC封装形式不具备RDY脚,在编程、擦除、比较之后只能通过读取内部的status_register来判断,当然凭借66MHz的SPI速度,也就是几百纳秒的事情啦;不过我只用到了10MHz的速度,感觉也是相当的不错,所以我比较衷情于使用SOIC (208mil) 8 的,一来画PCB板可以偷点懒,二来可以节省点焊接费用和时间(俺最近越来越会精打细算了哈)。
在软件应用上也是很方面的,这个系列的Flash性能很好,一般不会出现坏页,除了读、写功能外,还附带了一个比较功能,别小看这上功能,其实很是实用,把这篇文章继续读下去就知道了。为了更为保险一点,我在附加字节中加入了ECC。在操作上也下了点功夫,分别读和写两个方面,说明如下:
写数据,因为是SPI口操作,所以难免偶尔出现低概率的干扰,但是还是出影响数据,若是关键性的数据,那就完蛋了。所以俺先将要写入的页面数据写入BUF1,然后写入将BUF1写入Flash的命令。在Flash编程的同时,我将同样的数据写入BUF2,等待BUF1编程完毕,将BUF2的数据与Flash页面中的数据进行比较,如出错,则重新写入,若无误,说明SPI线传输正确。
读数据,因为我在附加字节中加入了ECC,所以每入读入系统内部RAM之后,都对ECC进行校验,如出错,说明Flash页面损坏或SPI读过程中出现外部干扰,此时可再读一次,如连续读入三次均出错,说明页面损坏,不过我还没有遇到这样的情况。
在芯片的操作上,我一般都是以页为单位进行操作,因为方便、好控制。
在写数据时,一般都采用页面自擦除方式,非常方便。
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