1、FLASH
1.8～3.6V工作电压，2.7～3.6V编程电压；
擦除/编程次数可达100000次：
数据保持时间从10年到100年不等：
60KB空间编程时间<5秒：
FLASH编程/擦除时间由内部硬件控制，无任何软件干预；
2、FLASH操作
由于FLASH存储器由很多相对独立的段组成，因此可在一个段中运行程序，而对另一个段进行擦除或写入操作。
正在执行编程或擦除等操作的FLASH段是不能被访问的，因为这时该段是与片内地址总线暂时断开的。
对FLASH模块的操作可分为3类：擦除、写入及读出。
头文件：
#ifndef FLASH_H_ #define FLASH_H_ extern unsigned int SegAddr,SegPre;//flash变量拓展 unsigned char Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg);//初始化 unsigned char Flash_Direct_WriteChar(unsigned int addr , unsigned char Data);//写函数 unsigned char Flash_ReadChar(unsigned int Addr);//读函数 void Flash_Erase(void);//擦拭函数 #endif /**** Created on: 2019年5月30日**** **** Author: zengzhaoyou****/
.c:
#include "flash.h" #include"Config.h" #include <msp430f169.h> /******************************************************************************* * 函数名称：Flash_Init初始化函数 * 功 能：对Flash时钟进行初始化设置 * 参数说明：Div：根据SMCLK频率计算的所需分频值，可设定为1-64 * 函数返回：无 * 说 明：产生SegAddr变量，确定读取插入擦除等操作段 ********************************************************************************/ unsigned char Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg) { //-----设置Flash的时钟和分频，分频为恰好为最低位，直接用Div-1即可----- if(Div<1) Div=1; if(Div>64) Div=64; FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + Div-1; // 默认使用SMCLK，分频系数参数传入 SegPre = Seg; //获取当前段 if (Seg <= 31) //判断是否处于主Flash段 { SegAddr=0xFFFF-(Seg+1)*128+1; //计算段起始地址 return(1); //赋值成功后即可退出并返回成功标志”1 } switch(Seg){ //判断是否处于信息Flash段 case ‘A‘: SegAddr=0x1080; break; //选择初始化区间 case ‘B‘: SegAddr=0x1000; break; default: SegAddr=0x20FF; return(0); //0x20FF地址为空白区，保护Flash } return(1); } /******************************************************************************* * 函数名称：Flash_Direct_WriteCha写入函数 * 功 能：强行向Flash中写入一个字节(Char型变量)，而不管是否为空 * 参数说明：addr：偏移量 Data：要写入的数据 * 函数返回：无 * 说 明：初始化后使用此函数即可写入 ********************************************************************************/ unsigned char Flash_Direct_WriteChar(unsigned int addr , unsigned char Data) { unsigned int temp = 0 ; unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer //----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----// if((SegPre <= 31 &&addr >= 512)|| (SegPre > 31 && addr >= 64)) return 0 ; temp = SegAddr + addr ; Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp ; //Initialize Flash pointer FCTL1 = FWKEY + WRT ; //正常写状态 FCTL3 = FWKEY ; //解除锁定 _disable_interrupts(); //关总中断 *Ptr_SegAddr = Data ; //指定地址，写1字节 while( FCTL3 & BUSY ); //等待操作完成 _enable_interrupts(); //开总中断 FCTL1 = FWKEY ; //退出写状态 FCTL3 = FWKEY + LOCK ; //恢复锁定，保护数据 return 1 ; } /******************************************************************************* * 函数名称：Flash_ReadCha读取函数 * 功 能：从Flash中读取一个字节 * 参数说明：addr：偏移量 * 函数返回：无 * 说 明：初始化后使用此函数即可读取 *******************************************************************************/ unsigned char Flash_ReadChar(unsigned int Addr) { unsigned char Data=0; unsigned int *Ptr_SegAddr,temp=0; //Segment pointer //----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----// if((SegPre<=31&&Addr>512)||(SegPre>31&&Addr>=64)) return 0; temp =SegAddr+Addr; Ptr_SegAddr =(void*)temp; //initialize Flash pointer Data=*(Ptr_SegAddr); return Data ; //返回参数 } /******************************************************************************* * 函数名称：Flash_Erase()擦除函数 * 功 能：从Flash中读取一个字节 * 参数说明：addr：偏移量 * 函数返回：无 * 说 明：初始化后使用此函数即可擦除 *******************************************************************************/ void Flash_Erase(void) { unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer Ptr_SegAddr = (unsigned char *)SegAddr; //Initialize Flash pointer FCTL1 = FWKEY + ERASE; //段擦除模式 FCTL3 = FWKEY; //解锁 _disable_interrupts(); *Ptr_SegAddr = 0; //擦除待操作段 while(FCTL3&BUSY); //Busy _enable_interrupts(); FCTL1 = FWKEY; //取消擦模式 FCTL3 = FWKEY+LOCK; //上锁 }