DDR接口时序实例

DDR SDRAM接口的示意图:

DDR接口时序实例

 

 CAC总线表示Command,Address,Control Pin,时序相对简单,单向单周期,通过以下命令约束:

create_generated_clock -name DDRCLK \-source [get_pins UPLL0/CLKOUT] \-divide_by 1 \[get_ports DDRCLK]
set_output_delay -max 0.75 -clock DDRCLK [get_ports CAC]set_output_delay -min -0.75 -clock DDRCLK [get_ports CAC]


DQ和DQS是同步对齐的,这是DDR的特点。DQS作为DQ的采样时钟,保证高速采样频率。

 

在进行读操作时,对应的电路结构和波形如下图:

DDR接口时序实例

 

 

可以这样定义:

#工作频率200MHz

create_clock -period 5 -name DQS [get_ports DQS]

#上升沿采样时的delay

set_input_delay 0.4 -max -clock DQS [get_ports DQ]

set_input_delay -0.4 -min -clock DQS [get_ports DQ]

#下降沿采样时的delay

set_input_delay 0.35 -max -clock DQS -clock_fall [get_ports DQ]

set_input_delay -0.35 -min -clock DQS -clock_fall [get_ports DQ]

#launch和capture在同一个沿

set_multicycle_path 0 -setup -to UFF0/D

set_multicycle_path 0 -setup -to UFF5/D

 

 

在进行写操作时,对应的电路结构和波形如下图:

DDR接口时序实例

 

可以这样定义:

create_clock -period 3 [get_ports CLK2X]
create_generated_clock -name pre_DQS \-source CLK2X \-divide_by 2 \[get_pins UFF1/Q]
create_generated_clock -name DQS \-source UFF1/Q \-edge {1 2 3} \-edge_shift {1.5 1.5 1.5} \[get_ports DQS]
set_output_delay -clock DQS -max 0.25 -rise [get_ports DQ]

set_output_delay -clock DQS -max 0.4 -fall [get_ports DQ]

set_output_delay -clock DQS -min -0.15 -rise [get_ports DQ]

set_output_delay -clock DQS -min -0.12 -fall [get_ports DQ]

 总之,DDR接口的时序SDC还算复杂,值得多研究一会。

 

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