对.Net Micro Framework系统来说，正常情况下Flash（包括NandFlash和NORFlash）分为六个区，分别为：

1、        BLOCKTYPE_BOOTSTRAP（存放启动代码，一般为TinyBooter）

2、        BLOCKTYPE_CONFIG（配置区，存放配置信息）

3、        BLOCKTYPE_CODE（本地代码区，指TinyCLR代码）

4、        BLOCKTYPE_DEPLOYMENT（托管代码区，存放用户的C#程序）

5、        BLOCKTYPE_STORAGE_A（用户数据存储区）

6、        BLOCKTYPE_FILESYSTEM（文件系统）

其中2、3、4项为.Net Micro Framework系统所必须。

如果Flash为NandFlash，则存放在BLOCKTYPE_BOOTSTRAP区的启动代码是无法直接执行的，系统必须在ROM、NORFlash或其它线性执行存储区存放一个Bootload，由该Bootload加载TinyBooter，然后由TinyBooter引导TinyCLR启动（当然如果空间允许，TinyBooter也可以放在NORFlash，直接运行来引导TinyCLR,或Bootload直接引导TinyCLR也是可以的）。

TinyCLR一般常见大小为700k左右，其实也可以放在NORFlash中，不需要TinyBooter而直接运行，不过这样就不方便用MFDeploy对TinyCLR进行升级了。

常见的MF系统，TinyBooter启动后一般把TinyCLR从NandFlash拷贝到RAM中，TinyCLR实际是在RAM中执行的。这就需要RAM的大小至少要大于TinyCLR的大小，加上堆和栈的大小，理想的RAM大小至少要大于2M。

EM-STM3210E开发板上的Flash含四部分，片内Flash 512k（系统Flash2k，存放系统Bootload，不能更改，ISP功能就是由该Bootload来支持的），2M NOR Flash，8M SPI Flash，128Mb（16M字节） NandFlash。

Flash相对比较丰富，但是RAM资源却有些不足，片内含64K RAM，片外扩展了128KB SRAM。由于RAM相对偏小，所以TinyCLR的代码是不可能拷贝到RAM中执行的，如果TinyCLR达到常见大小，则片内用户FLASH也是放不下的，也只有放到2M的 NOR Flash中去了。不过我们这次Porting的.Net Micro Framework仅是最小集，TinyCLR大概250K左右，此外TinyBooter对我们也不是必须的，我们通过ISP方式下载TinyCLR。

NORFlash和SPI Flash对我们来说不必要，仅需实现NandFlash即可，Flash的型号为ST NAND128W3A2BNb，最终的NandFlash分区如下：

1. const BlockRange g_NandFlash_BlockStatus[] =  
2.  
3. {  
4.  
5.     { BlockRange::BLOCKTYPE_CONFIG    ,   0,   7 },  //128K  
6.  
7.     { BlockRange::BLOCKTYPE_DEPLOYMENT,   8,  47 },  //640K   
8.  
9.     { BlockRange::BLOCKTYPE_DEPLOYMENT,  48,  87 },  
10.  
11.     { BlockRange::BLOCKTYPE_DEPLOYMENT, 128, 167 },  
12.  
13.     { BlockRange::BLOCKTYPE_DEPLOYMENT, 208, 247 },  
14.  
15.     { BlockRange::BLOCKTYPE_DEPLOYMENT, 288, 327 },  
16.  
17.     { BlockRange::BLOCKTYPE_DEPLOYMENT, 328, 1007 },  
18.  
19.     { BlockRange::BLOCKTYPE_STORAGE_A , 1008,1015 },  
20.  
21.     { BlockRange::BLOCKTYPE_STORAGE_B , 1016,1023 },  
22.  
23. };  
24.  

我们的NandFlash驱动不要放在\DeviceCode\Targets\Native\CortexM3\DeviceCode目录，因为不同的开发板虽然采用STM32系列的CPU，但是外围的Flash有可能型号不同，该NandFlash驱动要放在\Solutions\STM3210E\DeviceCode的目录，这样安排比较合理。

我们在该目录下创建Blockstorage目录，下有两个子目录addDevices和NandFlash，NandFlash目录放NandFlash驱动代码和配置信息，addDevices目录下的代码比较简单，就是把实现的NandFlash驱动加载到BlockStorageList中去，相关代码如下：

1. void BlockStorage_AddDevices()  
2.  
3. {  
4.  
5.     BlockStorageList::AddDevice( &g_NandFlash_BS, &g_NandFlash_BS_DeviceTable, &g_NandFlash_BS_Config, FALSE );  
6.  
7. }  
8.  

NandFlash的配置文件中主要的内容就是我们上面提到的const BlockRange g_NandFlash_BlockStatus[]，此外还要根据NandFlash的实际参数，填写一些宏。

1. #define FLASH_MANUFACTURER_CODE                 0x20  
2.  
3. #define FLASH_DEVICE_CODE                       0x73  
4.  
5. #define FLASH_BASE_ADDRESS                      0x00000000  
6.  
7. #define FLASH_SIZE                              0x01000000  //16M  128Mbit  
8.  
9. #define FLASH_BLOCK_COUNT                       1024          
10.  
11. #define FLASH_SECTOR_PER_BLOCK                  32   
12.  
13. #define FLASH_SECTOR_SIZE                       512  
14.  
15. #define FLASH_BLOCK_SIZE                        FLASH_SECTOR_PER_BLOCK*FLASH_SECTOR_SIZE  
16.  
17. … …  
18.  

NandFlash驱动是核心内容，我们知道Cortex-M3平台下无论是访问SRAM还是NandFlash (或NandFlash、SD卡等)都是要通过FSMC实现，所以这里要编写NandFlash之前，一定要先配置好FSMC寄存器，配置好之后，其Flash 驱动代码和普通的ARM7或ARM9下NandFlash驱动类似。

具体的代码这里不列举了，可以参考EM-STM3210E开发板的示例代码，不过这里需要说明的是，地址部分四个字节，其中一个字节表示扇区偏移，三个字节表示扇区地址。但是我们的扇区（页）大小为512+16个字节，一个字节无法表示0~511的偏移，这个问题在示例代码中找不到答案，只能看相关手册了。

其实一个扇区（页）分三部分，A、B、C，A为扇区前256字节，B为扇区下个256字节，C区为16字节。所以下面的代码就能实现0~511的扇区偏移。

1. WriteCommand(offset<256 ? COMMAND_AREA_A : COMMAND_AREA_B);  
2.  
3. WriteCommand(COMMAND_READ_1);  
4.  
5. WriteAddress(offset & 0xFF);  
6.  
7. WriteAddress((StartSector >>  0) & 0xFF);  
8.  
9. WriteAddress((StartSector >>  8) & 0xFF);  
10.  
11. WriteAddress((StartSector >> 16) & 0xFF);    
12.  

此外还要说明的是，该Flash的擦写是以Block为边界的，这和一般的NandFlash以扇区为边界不同，但是擦写单位都为一个Block，这是相同的。所以这部分代码在Porting时要和以前平台的驱动要有些区别。

在NativeSample.proj文件中添加如下条目，就可以测试我们的NandFlash代码了。

1. <ItemGroup> 
2.  
3.     <RequiredProjects Include="$(SPOCLIENT)\Solutions\Stm3210e\DeviceCode\Blockstorage\addDevices\dotNetMF.proj" /> 
4.  
5.     <DriverLibs Include="BlockStorage_AddDevices_NandFlash.$(LIB_EXT)" /> 
6.  
7.   </ItemGroup> 
8.  
9.   <ItemGroup> 
10.  
11.     <RequiredProjects Include="$(SPOCLIENT)\Solutions\Stm3210e\DeviceCode\Blockstorage\NandFlash\Driver\dotNetMF.proj" /> 
12.  
13.     <DriverLibs Include="NandFlash_BL.$(LIB_EXT)" /> 
14.  
15.   </ItemGroup> 
16.  
17.    <ItemGroup> 
18.  
19.     <RequiredProjects Include="$(SPOCLIENT)\Solutions\Stm3210e\DeviceCode\Blockstorage\NandFlash\Config\dotNetMF.proj" /> 
20.  
21.     <DriverLibs Include="NandFlash_BL_Config.$(LIB_EXT)" /> 
22.  
23.   </ItemGroup> 
24.  
25. NativeSample.cpp中的测试代码如下：  
26.  
27. BlockStorageDevice *device= BlockStorageList::GetFirstDevice();      
28.  
29.      if(device!=NULL)  
30.  
31.      {          
32.  
33.         UINT8 bytRet= device->EraseBlock(0x0);   //0x20000        
34.  
35.            debug_printf("EraseBlock:%s\r\n",bytRet? "OK":"ERROR");  
36.  
37.              
38.  
39.            BYTE bytWriteData[10];  
40.  
41.            for(int i=0;i<10;i++)  bytWriteData[i]=(BYTE)(i % 256);  
42.  
43.              
44.  
45.            bytRet=device->Write(10,10,bytWriteData,FALSE);  
46.  
47.            debug_printf("Write:%s\r\n",bytRet? "OK":"ERROR");  
48.  
49.    
50.  
51.            bytRet=device->Write(30,10,bytWriteData,FALSE);  
52.  
53.            debug_printf("Write:%s\r\n",bytRet? "OK":"ERROR");  
54.  
55.    
56.  
57.            bytRet=device->Write(513,10,bytWriteData,FALSE);  
58.  
59.            debug_printf("Write:%s\r\n",bytRet? "OK":"ERROR");  
60.  
61.                   
62.  
63.          BYTE bytReadData[1024];  
64.  
65.            bytRet=device->Read(5,1024,bytReadData);  
66.  
67.            debug_printf("Read:%s\r\n",bytRet? "OK":"ERROR");                   }  
68.  

好了，NandFlash驱动我们编写完毕，下一篇将介绍SysTick驱动的实现。

 

本文转自yefanqiu51CTO博客，原文链接：http://blog.51cto.com/yfsoft/321222，如需转载请自行联系原作者