CDK支持Flash烧写功能，为了能够适配不同的Flash器件的编程逻辑，CDK允许开发人员通过Flash算法文件的适配，实现Flash器件的编程，从而实现对某个芯片平台的Flash烧写。

关于Flash算法文件的内容，可以参考《Flash算法的开发和使用》视频教程进行详细了解。

2.1 配置算法初始信息

要在CDK中制作一个特定芯片的方案，需要通过New SOC Project创建一个Flash类型的CDK工程。

此时Project Type选为Flash，并在RAM1中填写SmartL的RAM区域。CPU和对应SDK的CPU要完全一致。
完成工程创建以后，工程视图显示内容如下：

FlashDev.c文件用来对算法基本信息进行描述。

/**
 * structure to describe flash device
 */
struct FlashDevice const FlashDevices  INDEVSECTION =  {
    6,                      // Reserved version description, do not modify!!!
    "SmartL_Flash",              // Flash name
    "ck802",              // CPU name, must in low case
    0x123456,               // Flash ID
    "NorFlash",             // type
    512*1024,               // Reserved
    1,                      // Access directly
    1,                      // RangeNumbers
    // {start address, the flash size, sector size}
    {{0x0, 0x80000, 0x200}}
};

将默认的内容修改为SmartL硬件信息相匹配即可。

2.2 实现算法接口

Driver.c文件用来实现算法逻辑，针对具体的硬件信息，实现对应的接口。

2.3 调试算法逻辑

main.c文件是算法工程的主控逻辑，main函数完成此功能。

it main() {
    // call nor flash drivers to program
    g_error = flashInit();
    // for debug flash driver
    flashTest();
    do {
        __bkpt_label();
        switch (g_func) {
        case 0:
            g_error = flashID(&g_flashID);
            break;
        case 1:
            g_error = flashProgram((char *) g_dstAddress, (char *) g_rwBuffer,
                    g_length);
            break;
        case 2:
            g_error = flashRead((char *) g_rwBuffer, (char *) g_dstAddress,
                    g_length);
            break;
        case 3:
            g_error = flashErase((char *) g_dstAddress, g_length);
            break;
        case 4:
            g_error = flashChipErase();
            break;
        case 5:
            g_error = flashUnInit();
            break;
        case 6:
            g_error = flashChecksum((char*)g_dstAddress, g_length, g_checksum);
            break;
        default:
            break;
        }
    } while (1);
}

CDK通过下载次算法工程到芯片RAM的g_rwBuffer[]数组中，然后通过控制g_func，g_dstAddress，g_length，g_checksum这些全局变量，实现对特定Flash器件的编程功能。这里需要调试算法文件，就是模拟整个烧写的过程，将每个函数调试通过即可。
为了能够更方便的调试算法文件，右击算法工程，在Compiler配置中，修改Optimization修改为 -O0 ，然后再次编译算法工程。

双击工程视图的算法工程节点，设置为active project，然后点击调试按钮，启动调试，运行到main函数以后，全速运行，发现算法文件停止在__bkpt_label函数处。

然后，我们这里根据调试需求，设置相应的全局变量，进行验证。
例如，这里我们调试flashProgram接口的正确性，首先在CDK Watch界面将g_func设置为1，g_dstAddress设置为要进行编程的Flash区域的地址，g_length设置为要烧写的数据长度，g_rwBuffer设置为具体的烧写数据内容，一般来说，对于调试，g_length数据量不需要太长。

这里我们设置向Flash区域0x0—0x8区域烧写0x1,0x2,0x3,0x4,0x5,0x6,0x7,0x8特征数据，来验证算法文件的正确性。CDK中设置好这些变量以后，把PC的值设置为当前lr（r15）的值，然后点击单步运行，

点击单步运行，程序运行在main.c文件的flashProgram入口，然后通过常规的调试手段，进入该函数内部，运行函数完成以后，验证是否正确烧写。
按照上诉手段，分别验证每个函数的正确性即可。

2.4 配置算法文件到SDK工程---

当完成整个算法文件调试以后，为了更好的提升算法文件的性能，这里我们将算法工程的Compiler编译选项由 -O0 修改为 -O2，然后重新编译，编译完成以后，将SmartL_Flash工程根路径下Obj/目录中生成的SmartL_Flash.elf算法文件copy到my_solution工程使用的SmartL_Chip组件的目录中去，CDK工程视图右击菜单Open Containing Folder选项，可以直接打开工程、组件所在的目录。
然后在工程视图SmartL_Chip组件节点的配置窗口中，配置SmartL_Flash.elf作为算法文件。

【情况2】
对于没有使用芯片组件或者使用旧版本的组件的情况，则需要将SmartL_Flash.elf拷贝到my_solution工程根路径下（与my_solution.ckdproj文件同目录），然后在工程配置的Flash Tab的算法选择中，选择该组件即可。