存储器通常分为易失性存储器（RAM - random access memory）和非易失性存储器（ROM - read only memory）

易失性存储器
SRAM：Static Random Access Memory（静态随机存储器），基本的存储单元由SR锁存器组成，不需要定时刷新。

DRAM：Dynamic Random Access Memory（静态随机存储器），由电容和晶体管组成，结构非常简单。动态随机存储器 DRAM 的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1，无电荷代表 0。但时间一长，代表 1 的电容会放电，代表 0 的电容会吸收电荷，因此它需要定期刷新操作。刷新操作会对电容进行检查，若电量大于满电量的 1/2，则认为其代表 1，并把电容充满电；若电量小于 1/2，则认为其代表 0，并把电容放电，藉此来保证数据的正确性。
DRAM又分为同步（Synchronous）和异步（Asynchronous）。

SDRAM（同步DRAM）在通讯时使用时钟信号，在时钟的上升沿表示数据有效。
为了进一步提高速度，由有了新的SDRAM，它可以把时钟信号的下降沿也利用起来，这样就能够实现两倍的传输速度，这就是DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）。然后还有DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM，存储特性和DDR SDRAM没有什么区别，但时钟频率越来越快。

非易失性存储器：

ROM：

EEPROM可以用普通电压擦除（3.3V 5V），不需要专门的高电压来擦除。

Flash，现在应用的非常广泛（U盘、SSD硬盘）。
FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，部分书籍会把 FLASH 存储器称为FLASH ROM，但它的容量一般比 EEPROM 大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位（扇区 / 块），一个块可能固定为512字节或1024字节。如有的 FLASH 存储器以 4096 个字节为扇区，最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同，FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH。擦除是将数据全部擦除为1。
NOR FLASH可以用来读写程序，而NAND FLASH只能够用来存储数据。为什么会有这种区别？实际上是因为，NOR FLASH的数据线和地址线时分开的，而NAND FLASH的地址/数据线是共用的。
非常重要。NOR FLASH和NAND FLASH都必须按扇区/块擦除，但是，有一个最大的区别就是，NOR FLASH可以按字节写入和读取（因此可以作为程序存储器），而NAND FLASH必须按块读写。