flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”，全名叫Flash EEPROM Memory。

它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。(来源于百度百科)

那么如何在单片机上进行内部flash的读写操作。主要分为以下几个步骤：
1.调用 HAL_FLASH_Unlock 解锁；
2.配置 FLASH_EraseInitTypeDef 擦除 flash 初始化结构体；
3.调用HAL_FLASHEx_Erase(&flash, &PageError)擦除页；
4.调用 HAL_FLASH_Program 函数写入数据；
5.调用 HAL_FLASH_Lock 上锁；

附上代码

#include "flash.h"
 
uint32_t startAddress;
uint32_t endAddress;

uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)
{
	return *(__IO uint32_t*)(faddr); 
}  

//FLASH写入数据
void WriteFlash(uint32_t Address, uint32_t *Data,uint32_t Num)
{
    uint16_t i = 0;
 //   Data = 12354678;
    startAddress = SN;
    endAddress = SN+16;
    HAL_FLASH_Unlock();//1.解锁
    FLASH_EraseInitTypeDef flash;
    flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    flash.PageAddress = Address;
    flash.NbPages = 1;
    uint32_t PageError = 0;
    HAL_FLASHEx_Erase(&flash, &PageError);//2.擦除页
    //在startAddress~endAddress写入4组0x12345678
	while(startAddress < endAddress)
	{
		if(HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, startAddress, *Data) == HAL_OK)//3.写数据
		{
			startAddress +=4;
			Data++;
		}
	}
    //4、锁住FLASH
	HAL_FLASH_Lock();
}
 
//FLASH读取数据
uint32_t ReadFlash(uint32_t Address,uint32_t *Data,uint32_t Num)
{
	uint32_t i;
	for(i=0;i<Num;i++)
	{
		Data[i]=STMFLASH_ReadWord(Address);//读取4个字节.
		Address+=4;//偏移4个字节.	
	}
}
#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H
 
#include "stm32f1xx_hal.h"
 
#define SN 			            0x08010000
#define PN 			            0x08010010
#define SOFTWARE_VERSION 		0x08010020
#define HARDWARE_VERSION		0x08010030
 
 uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr);
void WriteFlash(uint32_t Address, uint32_t *Data,uint32_t Num);
uint32_t ReadFlash(uint32_t Address,uint32_t *Data,uint32_t Num);
 
 
#endif 

调试验证的时候，可以定于两个数组，一个存放数据，一个读取数据

	WriteFlash(SN,(uint32_t *)Pwd3,2);
	ReadFlash(SN,(uint32_t *)test,2);	//读取

将读出的数据在串口打印出来
printf(“pwd3=%s/n”,test);
可见与写入的数据是一样的，内部flash读写成功！