温度越高，雪崩击穿所需要的击穿电压越高，因为温度升高导致晶格也在震，让*电子容易碰到干扰物，行程变短。为了在短行程内获取更大的能量好去撞出价电子，需要加大电压。

温度越高，齐纳击穿所需要的击穿电压越低。因为齐纳击穿本身就是把价电子拉出来，温度越高，越容易。

 

 

为什么不用六价元素，*电子更多？

从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的主要原因是：要最大限度地保持原来单晶结构的完整性.往硅中掺杂,是替位式掺杂,掺入的原子要取代硅原子的位置.

这个是跟原子的能级跃迁有关，之所以选3跟5的元素，是因为他们跟4价原子的能级比较接近，使得电子更容易跃迁

因为要保持晶体结构的完整性  以N型半导体为例，加入六价七价的元素的话，由于原子核束缚能力更强，该元素反而不容易失去电子

因为6，7价的施主能级低，不容易激发电子到导带形成*电子，或者说不容易失电子

 

通过控制掺杂不同浓度控制反向击穿电压大小

 

电容特性：电压变化时，储存的电荷变化