三极管

P（Positive）型半导体 硼，空穴为多数载流子
N（Negative）型半导体 磷，电子是多数载流子

N区多子电子往P区移动，叫多子的扩散运动
随着扩散运动，空间电荷区越来越厚，电压越来越强，内电场越来越来强
少子的运动叫漂移运动，内电场越强，漂移运动越强，会使空间电荷区变薄
扩散和飘移会达到动态平衡

PN结正向偏置，P端电压>N端电压，电流大于0.7V导通，视同于导体，空间电荷区消失
空间电荷区没有载流子，电流将载流子推进空间电荷区让其获得载流子，所以空间电荷区变小了

PN结反向偏置，P端电压< N端电压，空间电荷区变厚，视同于断开的开关，但是仍然有电流

正偏大于0.7V才能导电，反偏电流极其微小，严谨的说可以导电，发生反向击穿

PN结的电容效应
当PN结上的电压发生变化时，PN结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应
电容效应包含势垒电容和扩散电容
1.势垒电容Cb
由空间电荷区变化产生
2.扩散电容Cd
多数载流子扩散运动中积累而引起的

一般来说，二极管正向偏置时扩散电容起主要作用，反向势垒电容，CbCd都很小，高频信号通过时才需要考虑

反向击穿：
恒压降模型：导通保持0.7V

三极管

三级两节三区

放大区：
集电极反偏：VB<VC
发射结正偏：VB>VE，发射区电子不断向基区扩散，形成发射级电流IE

发反：没有IC流出
IB越大IC越大

发正集正：饱和，看成以B为开关控制CE，B高通路

输入特性曲线：IBE>0.7V才有
输出特性曲线：集电结反偏程度增加，集电节对基区吸引力变大，导致基区单身狗被吸完，饱和放大截止区

三极管对温度敏感，温度升高时正向曲线向左移

放大区 NPN：C>B>E
PNP：C<B<E
硅0.7，锗0.2

三种工作状态：