# stm的io设置为双向问题，将io端口模式配置为 open-drain mode

　　> 在io端口配置为输出模式时，输入通道上的施密特触发器一直是打开的，所以读取IDR是能检测到端口电平的

　　> 排除 push-pull mode 模式的依据是，推挽输出是强输出电流模式，在此模式下的输出通道上的推挽结构MOS管，属于强上拉和强下拉的，这会影响读取IDR时的值，强上拉意味着会将来自外部的低电平输入强制置高，强下拉意味着会将来自外部的高电平输入强制置低

　　> 在 open-drain mode 模式下，要读取来自外部的输入信号前，须将输出端口设置为开漏结构，且输出高电平信号（即NMOS不导通），该结构下io端口方能准确反映来自外部的输入信号

　　> 在复用模式下，暂未尝试，相信会有奇妙的发现