1. 开通和关断过程实验电路
2. MOSFET 的电压和电流波形
3. 开关过程原理
开通过程[ t0 ~ t4 ]：
– 在 t0 前， MOSFET 工作于截止状态， t0 时， MOSFET 被驱动开通；
– [t0-t1]区间， MOSFET 的 GS 电压经 Vgg 对 Cgs 充电而上升，在 t1 时刻，到达维持电压 Vth，MOSFET 开始导电；
– [t1-t2]区间， MOSFET 的 DS 电流增加， Millier 电容在该区间内因 DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大；
– [t2-t3]区间，至 t2 时刻， MOSFET 的 DS 电压降至与 Vgs 相同的电压， Millier 电容大大增加，外部驱动电压对 Millier 电容进行充电， GS 电容的电压不变， Millier 电容上电压增加，而 DS电容上的电压继续减小；
– [t3-t4]区间，至 t3 时刻， MOSFET 的 DS 电压降至饱和导通时的电压， Millier 电容变小并和GS 电容一起由外部驱动电压充电， GS 电容的电压上升，至 t4 时刻为止。此时 GS 电容电压已达稳态， DS 电压也达最小，即稳定的通态压降；
关断过程[ t5 ~ t9 ]：
– 在 t5 前， MOSFET 工作于导通状态， t5 时， MOSFET 被驱动关断；
– [t5-t6]区间， MOSFET 的 Cgs 电压经驱动电路电阻放电而下降，在 t6 时刻， MOSFET 的通态电阻微微上升， DS 电压梢稍增加，但 DS 电流不变；
– [t6-t7]区间，在 t6 时刻， MOSFET 的 Millier 电容又变得很大，故 GS 电容的电压不变，放电电流流过 Millier 电容，使 DS 电压继续增加；
– [t7-t8]区间，至 t7 时刻， MOSFET 的 DS 电压升至与 Vgs 相同的电压， Millier 电容迅速减小，GS 电容开始继续放电，此时 DS 电容上的电压迅速上升， DS 电流则迅速下降；
– [t8-t9]区间，至 t8 时刻， GS 电容已放电至 Vth， MOSFET 完全关断；该区间内 GS 电容继续放电直至零
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